半导体制造光谱解决方案
半导体制造对工艺重复性和实时监测的要求极高。光学发射光谱技术（OES）通过读取等离子体发出的光信号，可实时监控工艺状态，帮助提升设备利用率、工艺一致性和量产扩展能力，而且不用改动现有设备架构。对于蚀刻、沉积等关键步骤，这种实时洞察尤其重要。
半导体制造面临的挑战
了解光谱技术如何帮助您应对
等离子体工艺中突然停机，造成良率损失
刻蚀和沉积过程中，工艺重复性不一致
难以实时检测终点或等离子体漂移
现有工艺设备内部集成要求高，集成空间有限
光学发射光谱技术（OES）如何改善半导体工艺
终点检测
测量对象：
刻蚀或沉积过程中等离子体发射
光谱的实时强度变化。
分析目标：
通过特征光谱信号的突变，精准判定工艺是否达到终点。
核心价值：
有效避免过刻蚀/过沉积，提升晶圆良率，降低工艺偏差风险。
过程控制
测量对象：
工艺进程中等离子体发射光谱的连续动态变化。
分析目标：
实时监测工艺漂移、波动或腔体状态的变化。
核心价值：
为更精细的工艺管控提供即时反馈，无需改动现有设备架构。
为什么选择海洋光学
封闭式系统往往迫使您围绕仪器调整工艺流程：为了适配仪器，不得不调整制程、控制逻辑，甚至改动机台架构。海洋光学的思路正好相反，让光谱仪适配机台，而不是让机台迁就光谱仪。我们的光谱解决方案专为匹配您的机台架构、控制环境和制程性能目标而设计。
- 设计灵活——可根据您的具体工艺信号，配置波长范围、分辨率、光学元件和附件。
- 专为集成而生——紧凑、模块化的组件，适合 OEM 集成和现有设备环境。
- 开放式平台控制——使用 OceanDirect™ SDK 实现全面的软件和自动化控制。
- 无需更换平台即可实现量产——从研发到量产使用同一套生态系统，无需重新设计传感方案。
- 成本与应用需求相匹配——您需要什么就配什么，不用为固定系统的限制或不必要的复杂性买单。
已在全球半导体生态中落地
我们已向一家全球OEM设备制造商完成交付，将高分辨率光谱仪集成至其刻蚀检测系统中。
该方案可直接集成到半导体工艺控制设备，帮助您缩短导入周期、降低集成风险，并顺利从研发走向量产。
推荐产品组合
每套解决方案均专为在半导体制造中实现可靠的OES集成而设计。
终点检测
光谱仪：
QEPro-UV250-25
准直透镜：
84-UV-25
光纤：
QP600-1-SR-BX（抗紫外老化）
紫外波段灵敏度高，能检测微弱的终点信号，提升工艺一致性。
为什么推荐这套组合
专为捕捉工艺终点处的细微光谱变化而设计，尤其适合信号微弱或等离子体不稳定的情况。
关键参数
- 波长范围：200 – 790 nm
- 光学分辨率：~1.5 nm
- 产品性能：高灵敏度、高动态范围、高信噪比
- 积分时间：毫秒至分钟
- 光纤：600 µm 芯径，抗紫外老化，不锈钢护套
- 光学元件：紫外级熔融石英，长工作距离耦合
为何选择 QEPro 光谱仪
QE Pro 专为微弱或波动的终点信号而优化，具备强大的紫外灵敏度、高动态范围和高信噪比，从研发阶段到全天候生产都能可靠检测细微的光谱变化。
为何要搭配这些组件
- 透镜：支持高效的自由空间光收集，设备定位更灵活
- 光纤：在紫外线强烈的等离子体环境中保持信号完整性，同时增强机械耐用性
过程控制
光谱仪：
HR-4UVV250-25
准直透镜：
84-UV-25
光纤：
QP600-1-SR-BX（抗紫外老化）
高分辨率可区分相邻谱线，精准监测等离子体变化和工艺漂移。
为什么推荐这套组合
专为稳定、高通量生产环境中的连续监测和精细光谱识别而设计。
关键参数
- 波长范围：~190–880 nm
- 光学分辨率：<1 nm
- 重点：光谱分离与测量稳定性
- 积分时间：毫秒至秒
- 光纤：600 µm 芯径，抗紫外老化，不锈钢护套
- 光学元件：紫外熔融石英，稳定的光学耦合
为何选择 HR-4 光谱仪
HR-4 非常适合过程控制，可提供更高分辨率和热稳定性，能区分相邻发射谱线，可监测随时间变化的细微光谱偏移。
为何要搭配这些组件
- 透镜：可在加工环境中实现稳定且灵活的光线收集
- 光纤：在连续运行条件下依然经久耐用。
如何选择合适的光谱分析系统
选择理想的光谱分析系统，需要综合考虑测量精度和集成便利性。
除了分辨率和灵敏度，还要看它能否顺利接入您的机台和控制系统。要找到适合您具体应用的解决方案，建议从以下关键问题入手，评估其与工艺目标的匹配程度：
哪些等离子体信号对您的工艺至关重要？
监测发射光谱时，需要覆盖多宽的波长范围？
OES 如何集成到现有的设备或控制架构中？